多項(xiàng)選擇題常規(guī)模擬定位機(jī)和CT模擬定位機(jī)均包括的主要系統(tǒng)是()

A.X射線系統(tǒng)
B.劑量學(xué)系統(tǒng)
C.機(jī)械系統(tǒng)
D.光學(xué)系統(tǒng)
E.成像系統(tǒng)


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1.多項(xiàng)選擇題光子的能量分兩步授予給物質(zhì),包括()

A.通過韌致輻射轉(zhuǎn)移給物質(zhì)
B.特征輻射損失能量
C.通過相互作用將能量轉(zhuǎn)移給次級電子
D.帶電粒子的衰變轉(zhuǎn)移能量
E.次級電子通過原子激發(fā)或電離將能量轉(zhuǎn)移給介質(zhì)

3.單項(xiàng)選擇題在確定圖像旋轉(zhuǎn)、平移參數(shù)的技術(shù)中,最簡單直接的技術(shù)是()

A.特定點(diǎn)相互對應(yīng)技術(shù)
B.直接或曲線標(biāo)志變換技術(shù)
C.曲面變換技術(shù)
D.體積變換技術(shù)
E.交互或變換技術(shù)

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于臨床靶區(qū)(CTV)的描述,錯誤的是()

A.是通過觸診或影像學(xué)檢查確定的腫瘤細(xì)胞集中的體積
B.可以是原發(fā)病灶
C.可以使轉(zhuǎn)移的淋巴結(jié)
D.包含潛在的受侵犯組織
E.是與照射技術(shù)有關(guān)的區(qū)域

6.單項(xiàng)選擇題電子束百分深度劑量隨能量的改變而改變,其變化特點(diǎn)是()

A.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染減小

7.單項(xiàng)選擇題輻射野分析器(RFA)移動裝置的運(yùn)動精度應(yīng)達(dá)到()

A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm

8.單項(xiàng)選擇題關(guān)于線性-二次模型(LQ)的描述,正確的是()

A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種

9.單項(xiàng)選擇題關(guān)于指形電離室的說法,正確的是()

A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護(hù)極組成 
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量 
D、指形電離室通常用來校準(zhǔn)中高能X線以及4MeV以上的電子線 
E、指形電離室?guī)в袠?biāo)準(zhǔn)厚度的平衡帽,其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目

10.單項(xiàng)選擇題關(guān)于放療計(jì)劃評估的說法,正確的是()

A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計(jì)劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計(jì)劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系