單項(xiàng)選擇題磁控開(kāi)關(guān)屬于開(kāi)關(guān)式報(bào)警器，它由永久磁鐵塊和干簧管兩部分組成，對(duì)其安裝正確的是（）。

A、干簧管安裝在門(mén)或窗頁(yè)上，永久磁鐵塊安裝在門(mén)框或窗框上
B、永久磁鐵塊安裝在門(mén)或窗頁(yè)上，干簧管安裝在門(mén)框或窗框上
C、永久磁鐵塊和干簧管均安裝在門(mén)或窗頁(yè)上
D、永久磁鐵塊和干簧管均安裝在門(mén)框或窗框上


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1.單項(xiàng)選擇題超聲波探測(cè)器按其結(jié)構(gòu)和安裝方法不同可分為聲場(chǎng)型和多普勒型兩種，按其警戒功能屬于（）。

A、點(diǎn)控制型探測(cè)器
B、面控制型探測(cè)器
C、空間控制型探測(cè)器
D、線控制型探測(cè)器

2.單項(xiàng)選擇題紅外探測(cè)器分為主動(dòng)式和被動(dòng)式兩種，按其警戒功能主動(dòng)紅外探測(cè)器屬于（）。

A、點(diǎn)、線型探測(cè)器
B、點(diǎn)、面型探測(cè)器
C、空間、線型探測(cè)器
D、空間、面型探測(cè)器

3.單項(xiàng)選擇題防盜報(bào)警的微波探測(cè)器主要用于探測(cè)運(yùn)動(dòng)物體，微波探測(cè)器的性能描述，下面正確的是（）。

A、微波探測(cè)器對(duì)非金屬材料具有穿透性，可以安裝在非金屬偽裝物后面
B、微波探測(cè)器對(duì)金屬材料具有穿透性，可以安裝在金屬偽裝物后面
C、微波探測(cè)器對(duì)任何材料都不具備穿透性，探測(cè)器前不應(yīng)有阻擋物
D、微波探測(cè)器對(duì)任何材料都具有穿透性，可以安裝在任何偽裝物后面

4.單項(xiàng)選擇題出入口控制的門(mén)磁、窗磁開(kāi)關(guān)應(yīng)安裝在普通門(mén)、窗的（）。

A、內(nèi)下側(cè)
B、內(nèi)左側(cè)
C、內(nèi)右側(cè)
D、內(nèi)上側(cè)

5.單項(xiàng)選擇題設(shè)置在安全疏散口的出入口控制裝置，下面描述錯(cuò)誤的是（）。

A、應(yīng)與火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)
B、緊急情況下應(yīng)能自動(dòng)釋放出入口控制系統(tǒng)
C、安全疏散門(mén)在出入口控制系統(tǒng)釋放后應(yīng)能隨時(shí)開(kāi)啟
D、安全疏散門(mén)在出入口控制系統(tǒng)釋放后應(yīng)由安防控制中心控制開(kāi)啟

6.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代建筑的安全技術(shù)防范系統(tǒng)由安全管理系統(tǒng)和若干相關(guān)子系統(tǒng)組成，下面不屬于安全技術(shù)子系統(tǒng)的是（）。

A、入侵報(bào)警與出入口控制系統(tǒng)
B、電子巡查系統(tǒng)
C、停車(chē)場(chǎng)管理系統(tǒng)
D、火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)

7.單項(xiàng)選擇題樓宇訪客對(duì)講系統(tǒng)按功能不同可分為基本功能型和多功能型，下面不屬于基本功能型對(duì)講系統(tǒng)功能的是（）。

A、呼叫住戶功能
B、對(duì)講功能
C、控制開(kāi)門(mén)功能
D、內(nèi)部對(duì)講功能

8.單項(xiàng)選擇題樓宇訪客對(duì)講系統(tǒng)的全總線制系統(tǒng)，下面描述錯(cuò)誤的是（）。

A、采用數(shù)字編碼技術(shù)
B、將解碼電路設(shè)置在用戶室內(nèi)機(jī)中
C、樓層設(shè)置解碼器
D、整個(gè)系統(tǒng)完全采用總線連接

9.單項(xiàng)選擇題樓宇訪客對(duì)講系統(tǒng)的多線制系統(tǒng)，一般線數(shù)為4+N（N為室內(nèi)機(jī)數(shù)量），下面對(duì)于線數(shù)的確定正確的是（）。

A、通話線、開(kāi)門(mén)線、電源線、接地線共用，每戶再增加一條門(mén)鈴線
B、門(mén)鈴線、開(kāi)門(mén)線、電源線、接地線共用，每戶再增加一條通話線
C、門(mén)鈴線、通話線、電源線、接地線共用，每戶再增加一條開(kāi)門(mén)線
D、門(mén)鈴線、通話線、開(kāi)門(mén)線、接地線共用，每戶再增加一條電源線

10.單項(xiàng)選擇題傳聲器種類很多，建筑物的公共廣播系統(tǒng)中一般使用（）傳聲器。

A、動(dòng)圈式
B、壓電式
C、電容式
D、晶體式